慧榮科技宣佈推出全球首款支援最新SD 6.0規範的SD控制晶片解決方案

全新SD 6.0控制晶片系列產品支援下一代超高效能、大容量SD卡

 

臺北和美國加洲MILPITAS——全球快閃記憶體控制晶片領導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO)日前宣佈推出全新的SD 6.0控制晶片解決方案,該控制晶片支援SD 6. (https://experience.afrotech.com/) 0,並滿足新的A2應用效能標準,其最低隨機讀/寫效能高達4,000/2,000 IOPS。擴充性儲存卡搭載慧榮SD 6.0新控制晶片後將大幅提升隨機存取效能,讓行動裝置使用者能夠直接從SD卡執行Android 6.x/7.x的應用程式,並支援4k影片錄製和播放以及AR/VR等需要高頻寬的應用。

 

慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案支援低電壓訊號,可滿足低功耗SoC和功能命令佇列、快取記憶體功能和自我維護功能等需求——類似管理大量資料的SSD和嵌入式記憶體所使用的所有關鍵功能,從而支援使用高效能、高可靠性和長壽命擴充性儲存卡。此外,SD 6.0控制晶片解決方案最高可支援2TB的容量,並提供商用和工控等級的規格,為消費性、商用、工控及車用產品提供高效能及高可靠度的SD 6.0卡解決方案。

 

慧榮科技產品企劃部資深副總段喜亭表示:“擴展性儲存在行動通訊及工控的應用需求持續增溫。現在大部分的Android智慧型手機和行動裝置能支援用戶直接從可插拔卡執行應用程式。慧榮科技的SD 6.0新控制晶片能大幅提升記憶卡的效能,並為4K影片錄製和播放等高效能應用,以及需要高頻寬的多媒體應用程式的執行提供更大容量及更可靠的平臺。”

 

慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案規格:

 

  SM2705EN SM2707EN
卡標準 SD 6.0 SD 6.0
快閃記憶體介面 1-CH/4-CE 1-CH/8-CE
應用效能等級 A2

隨機存取效能

讀取:4,000 IOPS

寫入:2,000 IOPS

A2

隨機存取效能

讀取:4,000 IOPS

寫入:2,000 IOPS

順序讀/寫速度 最大99/90 MB/秒 最大99/90 MB/秒
ECC DuoECC DuoECC
容量支援 最大256GB 最大2TB
溫度支援 商用溫度:0℃至70℃ 工業溫度:-40℃至85℃
NAND支持 支持3D/2D NAND 支持3D/2D NAND

 

SM2705EN和SM2707EN已進入送樣階段,多家OEM廠商進行設計中。

 

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